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Schalttransistor IHW20N120R5 TO-247 Hochleistungs-IGBT-Triode, 20A 1200V 1
Schalttransistor IHW20N120R5 TO-247 Hochleistungs-IGBT-Triode, 20A 1200V 2
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Schalttransistor IHW20N120R5 TO-247 Hochleistungs-IGBT-Triode, 20A 1200V

Der Hochleistungs-IGBT-Trioden-Schalttransistor IHW20N120R5 TO-247 ist eine leistungsstarke elektronische Komponente, die bis zu 20 A und 1200 V verarbeiten kann. Es ist für Hochleistungsanwendungen wie industrielle Motorsteuerung, Stromversorgungen und Systeme für erneuerbare Energien konzipiert. Dieser Transistor bietet eine hohe Zuverlässigkeit und Leistung und eignet sich daher für anspruchsvolle Umgebungen, in denen eine hohe Spannungs- und Stromsteuerung erforderlich ist.

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    Zuverlässige Leistung mit IGBT 

    Erleben Sie die Leistung und Zuverlässigkeit des Hochleistungs-IGBT-Transistors IHW20N120R5 TO-247 mit einer Nennleistung von 20 A und 1200 V, Originalqualität und einer 1-Jahres-Garantie. Unser Transistor wird in einer sicheren Vakuumverpackung geliefert, bietet eine schnelle Reaktionszeit und vor dem Versand ein Originalbild des Etiketts, um Ihre Zufriedenheit zu gewährleisten. Holen Sie sich den leistungsstarken, leistungsstarken und effizienten Transistor IHW20N120R5 für Ihre Hochleistungsanwendungen.

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    Effizient, leistungsstark, zuverlässig, vielseitig

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    Schalttransistor IHW20N120R5 TO-247 Hochleistungs-IGBT-Triode, 20A 1200V 12
    Hochleistungsbewertung
    Mit einer leistungsstarken Nennleistung von 20 A und 1200 V ist diese IGBT-Triode für Hochleistungsanwendungen geeignet.
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    Effiziente Wärmeableitung
    Sein TO-247-Gehäuse sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und zuverlässige Leistung.
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    Hohe Schaltgeschwindigkeit
    Die hohe Schaltgeschwindigkeit dieser IGBT-Triode sorgt für eine hervorragende Energieeffizienz in anspruchsvollen Anwendungen.
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    Niedrige Sättigungsspannung
    Mit ihrer niedrigen Sättigungsspannung liefert diese IGBT-Triode eine hervorragende Leistung in Industrie- und Automobilanwendungen.

    Hochleistungs-IGBT-Triode: Effizientes Leistungsschalten

    Die TO-247-Hochleistungs-IGBT-Triode IHW20N120R5 verfügt über eine hohe Nennleistung von 20 A und eine maximale Spannung von 1200 V, wodurch sie für anspruchsvolle industrielle und kommerzielle Anwendungen geeignet ist. Sein TO-247-Gehäuse sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und sorgt so für die Aufrechterhaltung der Leistung in Umgebungen mit hohen Temperaturen. Mit seiner Triodenstruktur bietet dieser Transistor eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit und eignet sich daher ideal für Anwendungen, die eine hervorragende Belastbarkeit und ein robustes Design erfordern.

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    FAQ

    1
    Was ist der maximale Nennstrom der Hochleistungs-IGBT-Triode IHW20N120R5?
    Der maximale Nennstrom des IHW20N120R5 beträgt 20 A.
    2
    Was ist die maximale Nennspannung der Hochleistungs-IGBT-Triode IHW20N120R5?
    Die maximale Nennspannung des IHW20N120R5 beträgt 1200 V.
    3
    Was sind die typischen Anwendungsszenarien für die Hochleistungs-IGBT-Triode IHW20N120R5?
    Der IHW20N120R5 wird häufig in Anwendungen wie Motorsteuerung, Stromversorgung und erneuerbaren Energiesystemen eingesetzt.
    4
    Ist der IHW20N120R5 für Hochleistungsanwendungen geeignet?
    Ja, der IHW20N120R5 ist aufgrund seiner hohen Strom- und Spannungswerte für Hochleistungsanwendungen konzipiert.
    5
    Was ist der Gehäusetyp der Hochleistungs-IGBT-Triode IHW20N120R5?
    Der IHW20N120R5 ist in einem TO-247-Gehäuse verpackt, das für Hochleistungsanwendungen geeignet ist und eine effiziente Wärmeableitung bietet.
    6
    Kann der IHW20N120R5 sowohl in Industrie- als auch in Unterhaltungselektronikanwendungen eingesetzt werden?
    Ja, der IHW20N120R5 ist aufgrund seiner hohen Leistungsfähigkeit und vielseitigen Einsatzmöglichkeiten sowohl für Industrie- als auch für Unterhaltungselektronikanwendungen geeignet.
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    Tel: +86-181 3844 1620
    WhatsApp: q314882811

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